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BUK966R5-60E-HXY
IC

TO-263

可供量大可议

BUK966R5-60E-HXY

这款N沟道场效应管凭借60V的耐压规格与80A的强劲电流吞吐能力, 构建了稳固的功率处理基础。 其核心亮点在于5.8mΩ的极低导通电阻, 这一特性显著降低了通路损耗与热积累, 使其在持续高负载工况下仍能维持优异的能效表现。 在实际应用中, 该器件常被部署于大电流负载开关与DC-DC同步整流电路, 能够有效应对启动瞬间的电流冲击。 无论是便携式储能设备的充放电管理, 还是高功率直流电机的驱动控制, 它都能提供快速且精准的通断响应。 20V的栅源电压范围则为驱动电路设计提供了充裕的安全余量, 确保在复杂电磁环境下逻辑控制的稳定性。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-263

库存

22

货期

现货

BUK966R5-60E-HXY参数

封装TO-263
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存22

BUK966R5-60E-HXY概述

这款N沟道场效应管凭借60V的耐压规格与80A的强劲电流吞吐能力, 构建了稳固的功率处理基础。 其核心亮点在于5.8mΩ的极低导通电阻, 这一特性显著降低了通路损耗与热积累, 使其在持续高负载工况下仍能维持优异的能效表现。 在实际应用中, 该器件常被部署于大电流负载开关与DC-DC同步整流电路, 能够有效应对启动瞬间的电流冲击。 无论是便携式储能设备的充放电管理, 还是高功率直流电机的驱动控制, 它都能提供快速且精准的通断响应。 20V的栅源电压范围则为驱动电路设计提供了充裕的安全余量, 确保在复杂电磁环境下逻辑控制的稳定性。

BUK966R5-60E-HXY特性

暂无产品特性。

BUK966R5-60E-HXY应用领域

暂无应用领域。

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