BUK9535-100A-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）漏源击穿电压（VDSS）为100V， 栅源电压（VGS）耐受值为20V。 其连续漏极电流（ID）达33A， 配合30mΩ的低导通电阻（RDON）， 显著降低导通损耗与温升。 器件适用于高电流密度的开关场景， 常见于大功率直流电源、服务器供电模块及高性能电机驱动电路， 为复杂电子系统提供稳定高效的功率切换与电流管理能力。