BUK9515-60E-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
BUK9515-60E-HXY
该N沟道场效应管额定漏极电流为60安培, 漏源击穿电压60伏, 最大栅源电压20伏。 其导通电阻典型值为11毫欧, 低阻抗特性有助于减少导通状态下的功率损耗。 此器件适用于大电流直流电源模块、电动工具驱动电路及储能系统功率级, 能在高频开关条件下实现高效电能转换, 并简化散热结构设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
24
货期
现货
BUK9515-60E-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 24 |
BUK9515-60E-HXY概述
该N沟道场效应管额定漏极电流为60安培, 漏源击穿电压60伏, 最大栅源电压20伏。 其导通电阻典型值为11毫欧, 低阻抗特性有助于减少导通状态下的功率损耗。 此器件适用于大电流直流电源模块、电动工具驱动电路及储能系统功率级, 能在高频开关条件下实现高效电能转换, 并简化散热结构设计。
BUK9515-60E-HXY特性
暂无产品特性。
BUK9515-60E-HXY应用领域
暂无应用领域。
