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BUK9515-60E-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

BUK9515-60E-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流为60安培, 漏源击穿电压60伏, 最大栅源电压20伏。 其导通电阻典型值为11毫欧, 低阻抗特性有助于减少导通状态下的功率损耗。 此器件适用于大电流直流电源模块、电动工具驱动电路及储能系统功率级, 能在高频开关条件下实现高效电能转换, 并简化散热结构设计。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

24

货期

现货

BUK9515-60E-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存24

BUK9515-60E-HXY概述

该N沟道场效应管额定漏极电流为60安培, 漏源击穿电压60伏, 最大栅源电压20伏。 其导通电阻典型值为11毫欧, 低阻抗特性有助于减少导通状态下的功率损耗。 此器件适用于大电流直流电源模块、电动工具驱动电路及储能系统功率级, 能在高频开关条件下实现高效电能转换, 并简化散热结构设计。

BUK9515-60E-HXY特性

暂无产品特性。

BUK9515-60E-HXY应用领域

暂无应用领域。

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