BUK9510-100B-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
BUK9510-100B-HXY
该N沟道MOSFET具有70A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 在导通状态下呈现8.5毫欧的低导通电阻（RDS(ON)）， 栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。 器件适用于高效率电源转换、电机驱动及各类开关应用， 其低导通损耗有助于提升系统整体能效， 同时支持大电流工作条件下的稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
49
货期
现货
BUK9510-100B-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 49 |
BUK9510-100B-HXY概述
该N沟道MOSFET具有70A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 在导通状态下呈现8.5毫欧的低导通电阻（RDS(ON)）， 栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。 器件适用于高效率电源转换、电机驱动及各类开关应用， 其低导通损耗有助于提升系统整体能效， 同时支持大电流工作条件下的稳定运行。
BUK9510-100B-HXY特性
暂无产品特性。
BUK9510-100B-HXY应用领域
暂无应用领域。