BUK9230-55A-HXY

本N沟道场效应管（MOSFET）具有30A连续漏极电流（ID）和60V漏源耐压（VDSS）， 适用于多种中高功率电路应用。 导通电阻（RDON）低至22mΩ， 可有效减少导通损耗， 提高系统效率。 器件具备良好的热稳定性和耐用性， 适用于电源管理、开关电源、电机控制、LED驱动及储能设备等各类电子电路中， 满足多样化设计与性能需求。