BUK7Y07-30B-HXY
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
BUK7Y07-30B-HXY
BUK7Y07-30B N沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装, 专为高密度电路设计。 该器件拥有30V的最大工作电压(VDSS), 并能承载高达80A的连续漏极电流, 展现了卓越的电流处理性能。 特别强调其出色的导通电阻仅有4.7mΩ(RD(on)), 有效减小功耗, 提升系统能效。 此款MOS管适用于诸如开关电源、电机驱动、以及其他需要大电流、低阻抗特性的高端电子应用场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8(5x6)
库存
1
货期
现货
BUK7Y07-30B-HXY参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
BUK7Y07-30B-HXY概述
BUK7Y07-30B N沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装, 专为高密度电路设计。 该器件拥有30V的最大工作电压(VDSS), 并能承载高达80A的连续漏极电流, 展现了卓越的电流处理性能。 特别强调其出色的导通电阻仅有4.7mΩ(RD(on)), 有效减小功耗, 提升系统能效。 此款MOS管适用于诸如开关电源、电机驱动、以及其他需要大电流、低阻抗特性的高端电子应用场合。
BUK7Y07-30B-HXY特性
暂无产品特性。
BUK7Y07-30B-HXY应用领域
暂无应用领域。
