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BUK7Y07-30B-HXY
IC

DFN-8(5x6)

可供量大可议

BUK7Y07-30B-HXY

BUK7Y07-30B N沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装, 专为高密度电路设计。 该器件拥有30V的最大工作电压(VDSS), 并能承载高达80A的连续漏极电流, 展现了卓越的电流处理性能。 特别强调其出色的导通电阻仅有4.7mΩ(RD(on)), 有效减小功耗, 提升系统能效。 此款MOS管适用于诸如开关电源、电机驱动、以及其他需要大电流、低阻抗特性的高端电子应用场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8(5x6)

库存

1

货期

现货

BUK7Y07-30B-HXY参数

封装DFN-8(5x6)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存1

BUK7Y07-30B-HXY概述

BUK7Y07-30B N沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装, 专为高密度电路设计。 该器件拥有30V的最大工作电压(VDSS), 并能承载高达80A的连续漏极电流, 展现了卓越的电流处理性能。 特别强调其出色的导通电阻仅有4.7mΩ(RD(on)), 有效减小功耗, 提升系统能效。 此款MOS管适用于诸如开关电源、电机驱动、以及其他需要大电流、低阻抗特性的高端电子应用场合。

BUK7Y07-30B-HXY特性

暂无产品特性。

BUK7Y07-30B-HXY应用领域

暂无应用领域。

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