BUK7510-100B-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至8.5毫欧， 栅源驱动电压（VGS）最大可达20V。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升系统效率， 适用于对功率密度和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关等应用场景。 器件采用标准封装形式， 便于在紧凑型电路布局中集成， 同时确保在高电流工作条件下保持稳定可靠的电气特性。