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BUK6Q8R2-30PJ-HXY
IC

DFN-8L(3x3)

可供量大可议

BUK6Q8R2-30PJ-HXY

该P沟道场效应管最大漏极电流为70安培, 漏源击穿电压30伏, 导通电阻仅6.5毫欧, 栅源电压耐受值达20伏。 低内阻设计有效降低导通损耗, 适用于大电流负载开关、电池管理系统及高密度电源模块。 其高电流承载能力与宽栅压范围, 使其在服务器供电、高性能计算设备及便携式储能装置等直流控制场景中, 能确保电路在重载条件下稳定高效运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(3x3)

库存

48

货期

现货

BUK6Q8R2-30PJ-HXY参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

BUK6Q8R2-30PJ-HXY概述

该P沟道场效应管最大漏极电流为70安培, 漏源击穿电压30伏, 导通电阻仅6.5毫欧, 栅源电压耐受值达20伏。 低内阻设计有效降低导通损耗, 适用于大电流负载开关、电池管理系统及高密度电源模块。 其高电流承载能力与宽栅压范围, 使其在服务器供电、高性能计算设备及便携式储能装置等直流控制场景中, 能确保电路在重载条件下稳定高效运行。

BUK6Q8R2-30PJ-HXY特性

暂无产品特性。

BUK6Q8R2-30PJ-HXY应用领域

暂无应用领域。

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