BUK6Q8R2-30PJ-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
BUK6Q8R2-30PJ-HXY
该P沟道场效应管最大漏极电流为70安培, 漏源击穿电压30伏, 导通电阻仅6.5毫欧, 栅源电压耐受值达20伏。 低内阻设计有效降低导通损耗, 适用于大电流负载开关、电池管理系统及高密度电源模块。 其高电流承载能力与宽栅压范围, 使其在服务器供电、高性能计算设备及便携式储能装置等直流控制场景中, 能确保电路在重载条件下稳定高效运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
48
货期
现货
BUK6Q8R2-30PJ-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
BUK6Q8R2-30PJ-HXY概述
该P沟道场效应管最大漏极电流为70安培, 漏源击穿电压30伏, 导通电阻仅6.5毫欧, 栅源电压耐受值达20伏。 低内阻设计有效降低导通损耗, 适用于大电流负载开关、电池管理系统及高密度电源模块。 其高电流承载能力与宽栅压范围, 使其在服务器供电、高性能计算设备及便携式储能装置等直流控制场景中, 能确保电路在重载条件下稳定高效运行。
BUK6Q8R2-30PJ-HXY特性
暂无产品特性。
BUK6Q8R2-30PJ-HXY应用领域
暂无应用领域。
