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BUK626R2-40C-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

BUK626R2-40C-HXY

这款N沟道场效应管专为40V中低压环境设计, 具备80A的持续载流能力。 其导通电阻仅为5.5mΩ, 在大电流工况下能有效抑制发热, 提升能效。 ±20V的栅源电压范围赋予了驱动电路极高的灵活性。 该器件广泛应用于无绳电动工具、智能家居电源模块及便携式储能设备中, 凭借优异的开关特性与低损耗表现, 确保系统在紧凑空间内稳定运行, 是高效功率控制的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

48

货期

现货

BUK626R2-40C-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存48

BUK626R2-40C-HXY概述

这款N沟道场效应管专为40V中低压环境设计, 具备80A的持续载流能力。 其导通电阻仅为5.5mΩ, 在大电流工况下能有效抑制发热, 提升能效。 ±20V的栅源电压范围赋予了驱动电路极高的灵活性。 该器件广泛应用于无绳电动工具、智能家居电源模块及便携式储能设备中, 凭借优异的开关特性与低损耗表现, 确保系统在紧凑空间内稳定运行, 是高效功率控制的理想选择。

BUK626R2-40C-HXY特性

暂无产品特性。

BUK626R2-40C-HXY应用领域

暂无应用领域。

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