BUK625R2-30C-HXY

该N沟道MOSFET具有100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至3.8毫欧。 器件适用于高效率电源转换和大电流开关场景， 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升系统整体能效。 由于具备较高的电流承载能力和较低的热阻特性， 该MOSFET在紧凑型电源模块、电池管理系统及高性能计算供电架构中可实现稳定可靠的开关操作。