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BTB16-800BRG-JSM
IC

TO-220-3

可供量大可议

BTB16-800BRG-JSM

特性:NPNPN五层结构的硅双向器件。 具有自主知识产权的单面挖槽技术, 台面玻璃钝化工艺。 背面多层金属化电极。 具有较高的阻断电压和较高的温度稳定性。 应用:吸尘器、电动工具等马达调速控制器。 固态继电器

品牌

JSMSEMI

封装

TO-220-3

库存

825

货期

现货

BTB16-800BRG-JSM参数

封装TO-220-3
品牌JSMSEMI(杰盛微)
MOQ / SPQ1 / 5
分类晶闸管(可控硅)/模块
库存825

BTB16-800BRG-JSM概述

特性:NPNPN五层结构的硅双向器件。 具有自主知识产权的单面挖槽技术, 台面玻璃钝化工艺。 背面多层金属化电极。 具有较高的阻断电压和较高的温度稳定性。 应用:吸尘器、电动工具等马达调速控制器。 固态继电器

BTB16-800BRG-JSM特性

暂无产品特性。

BTB16-800BRG-JSM应用领域

暂无应用领域。

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