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BT168GW-HXY
IC

SOT-223

可供量大可议

BT168GW-HXY

该单向晶闸管模块额定通态电流IT为0.8A, 重复峰值电压VDRM达600V, 触发电流IGT低至90μA, 具有较高的电压耐受能力与灵敏的触发特性。 器件采用单向导通结构, 适用于直流或脉冲控制电路中的功率开关应用。 典型场景包括电源管理模块、小型电机驱动、照明调光电路及交流整流后的控制回路。 其低触发电流设计有助于简化驱动电路, 提升系统响应速度, 适合集成于对能效和空间布局有要求的电子装置中, 实现精确的相位控制与负载通断管理。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-223

库存

90

货期

现货

BT168GW-HXY参数

封装SOT-223
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类晶闸管(可控硅)/模块
库存90

BT168GW-HXY概述

该单向晶闸管模块额定通态电流IT为0.8A, 重复峰值电压VDRM达600V, 触发电流IGT低至90μA, 具有较高的电压耐受能力与灵敏的触发特性。 器件采用单向导通结构, 适用于直流或脉冲控制电路中的功率开关应用。 典型场景包括电源管理模块、小型电机驱动、照明调光电路及交流整流后的控制回路。 其低触发电流设计有助于简化驱动电路, 提升系统响应速度, 适合集成于对能效和空间布局有要求的电子装置中, 实现精确的相位控制与负载通断管理。

BT168GW-HXY特性

暂无产品特性。

BT168GW-HXY应用领域

暂无应用领域。

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