BT168GW-HXY
IC
SOT-223
可供量大可议
BT168GW-HXY
该单向晶闸管模块额定通态电流IT为0.8A, 重复峰值电压VDRM达600V, 触发电流IGT低至90μA, 具有较高的电压耐受能力与灵敏的触发特性。 器件采用单向导通结构, 适用于直流或脉冲控制电路中的功率开关应用。 典型场景包括电源管理模块、小型电机驱动、照明调光电路及交流整流后的控制回路。 其低触发电流设计有助于简化驱动电路, 提升系统响应速度, 适合集成于对能效和空间布局有要求的电子装置中, 实现精确的相位控制与负载通断管理。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-223
库存
90
货期
现货
BT168GW-HXY参数
| 封装 | SOT-223 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 晶闸管(可控硅)/模块 |
|---|---|
| 库存 | 90 |
BT168GW-HXY概述
该单向晶闸管模块额定通态电流IT为0.8A, 重复峰值电压VDRM达600V, 触发电流IGT低至90μA, 具有较高的电压耐受能力与灵敏的触发特性。 器件采用单向导通结构, 适用于直流或脉冲控制电路中的功率开关应用。 典型场景包括电源管理模块、小型电机驱动、照明调光电路及交流整流后的控制回路。 其低触发电流设计有助于简化驱动电路, 提升系统响应速度, 适合集成于对能效和空间布局有要求的电子装置中, 实现精确的相位控制与负载通断管理。
BT168GW-HXY特性
暂无产品特性。
BT168GW-HXY应用领域
暂无应用领域。
