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BT131-800D
自营可供
IC

SOT-89

BT131-800D

特性:阻断电压至 800V。 均方根导通电流至 1A。 通用双向开关

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-89

交期

现货

批次

26+

BT131-800D参数

封装SOT-89
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
批次26+
可控硅类型1个双向可控硅
通态电流(It)1A
门极平均耗散功率(PG(AV))500mW
门极触发电流(Igt)10mA
保持电流(Ih)7mA
商品名称双向可控硅
封装TO-92
单位个
商品重量0.0002
分类晶闸管(可控硅)/模块
库存1,668
MOQ / SPQ1 / 1
断态峰值电压(Vdrm)800V
浪涌电流16A
通态峰值电压(Vtm)1.5V
门极触发电压(Vgt)1.3V
工作温度-40℃~+125℃
商品型号BT131-800D
包装方式袋装
商品类型晶闸管(可控硅)/模块

BT131-800D概述

特性:阻断电压至 800V。 均方根导通电流至 1A。 通用双向开关

BT131-800D特性

  • 阻断电压高达800V
  • RMS导通电流高达1A
  • 通用双向开关功能

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