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BT131-800D
IC

SOT-89

可供量大可议

BT131-800D

特性:阻断电压至 800V。 均方根导通电流至 1A。 通用双向开关

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-89

库存

1,668

货期

现货

BT131-800D参数

封装SOT-89
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
批次26+
断态峰值电压(Vdrm)800V
浪涌电流10A
门极触发电流(Igt)8mA
保持电流(Ih)30mA
分类晶闸管(可控硅)/模块
库存1,668
MOQ / SPQ1 / 1
通态电流(It)1A
门极平均耗散功率(PG(AV))400mW
门极触发电压(Vgt)2V
工作温度-40℃~+125℃

BT131-800D概述

特性:阻断电压至 800V。 均方根导通电流至 1A。 通用双向开关

BT131-800D特性

暂无产品特性。

BT131-800D应用领域

暂无应用领域。

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