BSZ440N10NS3G
IC
TSDSON-8FL
可供量大可议
BSZ440N10NS3G
特性：非常低的栅极电荷， 适用于高频应用。 针对直流-直流转换进行优化。 N 沟道， 正常电平。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃ 工作温度。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
TSDSON-8FL
库存
4,789
货期
现货
BSZ440N10NS3G参数
| 封装 | TSDSON-8FL |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4789 |
BSZ440N10NS3G概述
特性：非常低的栅极电荷， 适用于高频应用。 针对直流-直流转换进行优化。 N 沟道， 正常电平。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数）。 极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃ 工作温度。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
BSZ440N10NS3G特性
暂无产品特性。
BSZ440N10NS3G应用领域
暂无应用领域。