BSZ16DN25NS3GATMA1
IC
TSDSON-8FL
可供量大可议
BSZ16DN25NS3GATMA1
特性：优化用于直流-直流转换。 N沟道， 正常电平。 出色的栅极电荷 × 导通电阻 (RDS(on)) 乘积 (FOM)。 低导通电阻RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
TSDSON-8FL
库存
100
货期
现货
BSZ16DN25NS3GATMA1参数
| 封装 | TSDSON-8FL |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
BSZ16DN25NS3GATMA1概述
特性：优化用于直流-直流转换。 N沟道， 正常电平。 出色的栅极电荷 × 导通电阻 (RDS(on)) 乘积 (FOM)。 低导通电阻RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。 根据IEC61249-2-21标准无卤
BSZ16DN25NS3GATMA1特性
暂无产品特性。
BSZ16DN25NS3GATMA1应用领域
暂无应用领域。