BSZ130N03MSG-HXY
IC
DFN3x3-8L
可供量大可议
BSZ130N03MSG-HXY
BSZ130N03MSG 型号MOS管是一款高效能N沟道半导体器件, 采用小型化DFN3X3-8L封装设计, 专为高密度电路板应用优化。 其强大之处在于拥有30V的耐压等级VDSS, 以及惊人的30A连续电流ID承载力, 充分展现卓越的功率管理能力。 尤为突出的是, 导通电阻低至9mR, 显著提升能源利用率和系统效能。 本产品广泛应用在电源管理、马达驱动等各种领域, 出厂前已进行严苛品质测试, 确保为您提供一流的性能和稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN3x3-8L
库存
195
货期
现货
BSZ130N03MSG-HXY参数
| 封装 | DFN3x3-8L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 195 |
BSZ130N03MSG-HXY概述
BSZ130N03MSG 型号MOS管是一款高效能N沟道半导体器件, 采用小型化DFN3X3-8L封装设计, 专为高密度电路板应用优化。 其强大之处在于拥有30V的耐压等级VDSS, 以及惊人的30A连续电流ID承载力, 充分展现卓越的功率管理能力。 尤为突出的是, 导通电阻低至9mR, 显著提升能源利用率和系统效能。 本产品广泛应用在电源管理、马达驱动等各种领域, 出厂前已进行严苛品质测试, 确保为您提供一流的性能和稳定性。
BSZ130N03MSG-HXY特性
暂无产品特性。
BSZ130N03MSG-HXY应用领域
暂无应用领域。
