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BSZ130N03MSG-HXY
IC

DFN3x3-8L

可供量大可议

BSZ130N03MSG-HXY

BSZ130N03MSG 型号MOS管是一款高效能N沟道半导体器件, 采用小型化DFN3X3-8L封装设计, 专为高密度电路板应用优化。 其强大之处在于拥有30V的耐压等级VDSS, 以及惊人的30A连续电流ID承载力, 充分展现卓越的功率管理能力。 尤为突出的是, 导通电阻低至9mR, 显著提升能源利用率和系统效能。 本产品广泛应用在电源管理、马达驱动等各种领域, 出厂前已进行严苛品质测试, 确保为您提供一流的性能和稳定性。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN3x3-8L

库存

195

货期

现货

BSZ130N03MSG-HXY参数

封装DFN3x3-8L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存195

BSZ130N03MSG-HXY概述

BSZ130N03MSG 型号MOS管是一款高效能N沟道半导体器件, 采用小型化DFN3X3-8L封装设计, 专为高密度电路板应用优化。 其强大之处在于拥有30V的耐压等级VDSS, 以及惊人的30A连续电流ID承载力, 充分展现卓越的功率管理能力。 尤为突出的是, 导通电阻低至9mR, 显著提升能源利用率和系统效能。 本产品广泛应用在电源管理、马达驱动等各种领域, 出厂前已进行严苛品质测试, 确保为您提供一流的性能和稳定性。

BSZ130N03MSG-HXY特性

暂无产品特性。

BSZ130N03MSG-HXY应用领域

暂无应用领域。

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