BSZ130N03LS G-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
BSZ130N03LS G-HXY
这款N沟道消费级MOSFET采用DFN3X3-8L封装, 专为高功率密度和中高电流应用设计。 额定电压30V, 可承载30A连续电流, 尤其适用于电源转换、电池管理系统及紧凑型电子设备, 提供卓越的导通性能与高效散热, 是现代电子系统理想的功率开关器件。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
20
货期
现货
BSZ130N03LS G-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
BSZ130N03LS G-HXY概述
这款N沟道消费级MOSFET采用DFN3X3-8L封装, 专为高功率密度和中高电流应用设计。 额定电压30V, 可承载30A连续电流, 尤其适用于电源转换、电池管理系统及紧凑型电子设备, 提供卓越的导通性能与高效散热, 是现代电子系统理想的功率开关器件。
BSZ130N03LS G-HXY特性
暂无产品特性。
BSZ130N03LS G-HXY应用领域
暂无应用领域。
