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BSZ130N03LS G-HXY
IC

DFN-8L(3x3)

可供量大可议

BSZ130N03LS G-HXY

这款N沟道消费级MOSFET采用DFN3X3-8L封装, 专为高功率密度和中高电流应用设计。 额定电压30V, 可承载30A连续电流, 尤其适用于电源转换、电池管理系统及紧凑型电子设备, 提供卓越的导通性能与高效散热, 是现代电子系统理想的功率开关器件。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(3x3)

库存

20

货期

现货

BSZ130N03LS G-HXY参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存20

BSZ130N03LS G-HXY概述

这款N沟道消费级MOSFET采用DFN3X3-8L封装, 专为高功率密度和中高电流应用设计。 额定电压30V, 可承载30A连续电流, 尤其适用于电源转换、电池管理系统及紧凑型电子设备, 提供卓越的导通性能与高效散热, 是现代电子系统理想的功率开关器件。

BSZ130N03LS G-HXY特性

暂无产品特性。

BSZ130N03LS G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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