BSZ120P03NS3GATMA1-HXY

本产品为P沟道场效应管（MOSFET）， 具有30V漏源击穿电压（VDSS）和35A额定漏极电流（ID）， 适用于中高功率电源管理应用。 导通状态下， 其典型导通电阻（RDON）为13mΩ， 能够在保证性能的同时有效控制导通损耗。 该器件采用稳定可靠的制造工艺， 具备良好的热稳定性和耐用性， 适用于各类电源转换装置、负载开关电路及电池供电系统中的功率控制与调节应用。