BSZ100N03MSGATMA1
IC
TSDSON-8
可供量大可议
BSZ100N03MSGATMA1
特性：针对5V驱动应用（笔记本电脑、VGA、负载点）进行优化。 用于高频开关电源的低FOMQsw。 100%雪崩测试。 N沟道。 在Vgs = 4V时极低的导通电阻Rds(on)。 出色的栅极电荷xRds(on)乘积（FOM）。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 优越的热阻。 无铅电镀； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
TSDSON-8
库存
1,520
货期
现货
BSZ100N03MSGATMA1参数
| 封装 | TSDSON-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1520 |
BSZ100N03MSGATMA1概述
特性：针对5V驱动应用（笔记本电脑、VGA、负载点）进行优化。 用于高频开关电源的低FOMQsw。 100%雪崩测试。 N沟道。 在Vgs = 4V时极低的导通电阻Rds(on)。 出色的栅极电荷xRds(on)乘积（FOM）。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 优越的热阻。 无铅电镀； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
BSZ100N03MSGATMA1特性
暂无产品特性。
BSZ100N03MSGATMA1应用领域
暂无应用领域。