BSZ0994NSATMA1-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有40A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧， 在低电压应用中可有效降低导通损耗。 器件支持高效能电源路径设计， 适用于电池供电设备、便携式电子产品、电机驱动及高频开关电路等场景。 其低阻抗特性有助于提升整体系统效率， 并在有限空间内实现良好的热性能与电气稳定性。