BSZ0910LSATMA1
IC
TSDSON-8FL
可供量大可议
BSZ0910LSATMA1
特性：针对充电器和适配器进行优化（如USB-PD、无线充电）。 集成单片肖特基式二极管。 极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5V。 卓越的热阻。 N沟道。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
TSDSON-8FL
库存
30
货期
现货
BSZ0910LSATMA1参数
| 封装 | TSDSON-8FL |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
BSZ0910LSATMA1概述
特性：针对充电器和适配器进行优化（如USB-PD、无线充电）。 集成单片肖特基式二极管。 极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5V。 卓越的热阻。 N沟道。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
BSZ0910LSATMA1特性
暂无产品特性。
BSZ0910LSATMA1应用领域
暂无应用领域。