BSZ0904NSIATMA1
自营可供
IC
TSDSON-8
BSZ0904NSIATMA1
场效应管(MOSFET) 37W； 2.1W 30V 18A； 40A 1个N沟道
品牌
Infineon
封装
TSDSON-8
交期
现货
批次
26+
BSZ0904NSIATMA1参数
| 封装 | TSDSON-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 1.463nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9,979 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 37W； 2.1W |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF |
BSZ0904NSIATMA1概述
场效应管(MOSFET) 37W； 2.1W 30V 18A； 40A 1个N沟道