BSZ0904NSI-MS
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
BSZ0904NSI-MS
此款BSZ0904NSI-MS是一款高强度N沟道MOSFET， 采用紧凑型DFN3X3-8L封装， 特别适应于高密度电子产品的布局需求。 其核心技术指标包括最大漏源电压(VDSS)达到30V， 峰值漏极电流(ID)高达100A， 显示出超强电流处理能力； 而优异的导通电阻仅为4mΩ(RD(on))， 确保在大电流工作状态下的低损耗性能。 此款MOS管非常适合应用于功率转换、快速充电、大电流开关控制等对效率和稳定性要求严苛的领域。
Brand
MSKSEMI
Package
DFN-8L(3x3)
Stock
650
货期
现货
BSZ0904NSI-MSParameters
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 650 |
BSZ0904NSI-MS概述
此款BSZ0904NSI-MS是一款高强度N沟道MOSFET， 采用紧凑型DFN3X3-8L封装， 特别适应于高密度电子产品的布局需求。 其核心技术指标包括最大漏源电压(VDSS)达到30V， 峰值漏极电流(ID)高达100A， 显示出超强电流处理能力； 而优异的导通电阻仅为4mΩ(RD(on))， 确保在大电流工作状态下的低损耗性能。 此款MOS管非常适合应用于功率转换、快速充电、大电流开关控制等对效率和稳定性要求严苛的领域。
BSZ0904NSI-MS特性
暂无产品特性。
BSZ0904NSI-MS应用领域
暂无应用领域。