BSZ0902NSIATMA1
IC
TSDSON-8
可供量大可议
BSZ0902NSIATMA1
特性：为高性能降压转换器优化的同步场效应管。 集成单片肖特基二极管。 极低导通电阻 RDS(on) @Vgs = 4.5V。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
TSDSON-8
库存
87
货期
现货
BSZ0902NSIATMA1参数
| 封装 | TSDSON-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 87 |
BSZ0902NSIATMA1概述
特性：为高性能降压转换器优化的同步场效应管。 集成单片肖特基二极管。 极低导通电阻 RDS(on) @Vgs = 4.5V。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
BSZ0902NSIATMA1特性
暂无产品特性。
BSZ0902NSIATMA1应用领域
暂无应用领域。