BSZ088N03MSGATMA1-HXY

该N沟道MOSFET具有45A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为6mΩ， 栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。 器件在中等电流水平下保持较低的导通损耗， 适合对能效和热管理有一定要求的应用场景。 常用于电源转换模块、便携式设备供电系统、电机驱动电路以及高频开关应用中， 能够在保证电气性能的同时支持紧凑型电路设计。