BSZ088N03MS G
IC
TSDSON-8(3.3x3.3)
可供量大可议
BSZ088N03MS G
特性：针对5V驱动应用（笔记本电脑、VGA、负载点）进行优化。 用于高频开关电源的低FOM_SW。 100%雪崩测试。 N沟道。 极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5V。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。 根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。 卓越的热阻。 无铅电镀； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
TSDSON-8(3.3x3.3)
库存
1
货期
现货
BSZ088N03MS G参数
| 封装 | TSDSON-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
BSZ088N03MS G概述
特性：针对5V驱动应用（笔记本电脑、VGA、负载点）进行优化。 用于高频开关电源的低FOM_SW。 100%雪崩测试。 N沟道。 极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5V。 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（FOM）。 根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。 卓越的热阻。 无铅电镀； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
BSZ088N03MS G特性
暂无产品特性。
BSZ088N03MS G应用领域
暂无应用领域。