BSZ086P03NS3G
IC
TSDSON-8FL
可供量大可议
BSZ086P03NS3G
特性：单P沟道， 采用S308封装， 符合JEDEC标准， 适用于目标应用。 工作温度150℃。 VGS = 25V， 特别适用于笔记本应用。 无铅， 符合RoHS标准。 无卤， 符合IEC61249-2-21标准。 应用：电池管理。 负载开关
品牌
Infineon
封装
TSDSON-8FL
库存
4
货期
现货
BSZ086P03NS3G参数
| 封装 | TSDSON-8FL |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
BSZ086P03NS3G概述
特性：单P沟道， 采用S308封装， 符合JEDEC标准， 适用于目标应用。 工作温度150℃。 VGS = 25V， 特别适用于笔记本应用。 无铅， 符合RoHS标准。 无卤， 符合IEC61249-2-21标准。 应用：电池管理。 负载开关
BSZ086P03NS3G特性
暂无产品特性。
BSZ086P03NS3G应用领域
暂无应用领域。