BSZ086P03NS3EGATMA1
IC
TSDSON-8
可供量大可议
BSZ086P03NS3EGATMA1
特性：单P沟道， 采用S308封装， 符合JEDEC标准， 适用于目标应用。 工作温度达150℃。 VGS = 25V， 特别适合笔记本应用。 无铅， 符合RoHS标准。 ESD保护。 无卤， 符合IEC61249-2-21标准。 应用：电池管理。 负载开关
品牌
Infineon
封装
TSDSON-8
库存
18
货期
现货
BSZ086P03NS3EGATMA1参数
| 封装 | TSDSON-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 18 |
BSZ086P03NS3EGATMA1概述
特性：单P沟道， 采用S308封装， 符合JEDEC标准， 适用于目标应用。 工作温度达150℃。 VGS = 25V， 特别适合笔记本应用。 无铅， 符合RoHS标准。 ESD保护。 无卤， 符合IEC61249-2-21标准。 应用：电池管理。 负载开关
BSZ086P03NS3EGATMA1特性
暂无产品特性。
BSZ086P03NS3EGATMA1应用领域
暂无应用领域。