BSZ063N04LS6ATMA1
IC
TSDSON-8
可供量大可议
BSZ063N04LS6ATMA1
特性：针对同步应用进行优化。 极低的导通电阻Rps(on)， 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准， 无卤， 额定温度175°C
品牌
Infineon
封装
TSDSON-8
库存
20
货期
现货
BSZ063N04LS6ATMA1参数
| 封装 | TSDSON-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
BSZ063N04LS6ATMA1概述
特性：针对同步应用进行优化。 极低的导通电阻Rps(on)， 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准， 无卤， 额定温度175°C
BSZ063N04LS6ATMA1特性
暂无产品特性。
BSZ063N04LS6ATMA1应用领域
暂无应用领域。