BSZ058N03LSGATMA1-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
BSZ058N03LSGATMA1-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有55A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）， 以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其低导通电阻有助于在高电流工作条件下减少功率损耗和温升， 适用于高效开关电源、电池供电设备、电机控制及各类中高功率电子系统。 器件在确保稳定开关性能的同时， 支持紧凑布局与良好热管理。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
95
货期
现货
BSZ058N03LSGATMA1-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 95 |
BSZ058N03LSGATMA1-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有55A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）， 以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其低导通电阻有助于在高电流工作条件下减少功率损耗和温升， 适用于高效开关电源、电池供电设备、电机控制及各类中高功率电子系统。 器件在确保稳定开关性能的同时， 支持紧凑布局与良好热管理。
BSZ058N03LSGATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
BSZ058N03LSGATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。