BSZ0589NS
IC
TSDSON-8(3.3x3.3)
可供量大可议
BSZ0589NS
特性：针对高性能无线充电器进行优化。 用于高频开关电源的极低 FOM_QSS。 用于高频开关电源的低 FOM_SW。 出色的栅极电荷×R_DS(on)乘积（FOM）。 在 V_GS = 4.5 V 时具有极低的导通电阻 R_DS(on)。 100% 雪崩测试。 卓越的热阻。 N 沟道。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
TSDSON-8(3.3x3.3)
库存
66
货期
现货
BSZ0589NS参数
| 封装 | TSDSON-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 66 |
BSZ0589NS概述
特性：针对高性能无线充电器进行优化。 用于高频开关电源的极低 FOM_QSS。 用于高频开关电源的低 FOM_SW。 出色的栅极电荷×R_DS(on)乘积（FOM）。 在 V_GS = 4.5 V 时具有极低的导通电阻 R_DS(on)。 100% 雪崩测试。 卓越的热阻。 N 沟道。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
BSZ0589NS特性
暂无产品特性。
BSZ0589NS应用领域
暂无应用领域。