BSZ050N03MSGATMA1-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
BSZ050N03MSGATMA1-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具备70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为3.5毫欧。 其极低的导通电阻有效降低导通损耗， 适用于高效率、大电流的开关应用场景。 器件在高频开关条件下仍能保持良好的性能稳定性， 适合用于电源转换模块、电池管理系统以及各类需要高效能功率控制的电子设备中。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
30
货期
现货
BSZ050N03MSGATMA1-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
BSZ050N03MSGATMA1-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具备70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为3.5毫欧。 其极低的导通电阻有效降低导通损耗， 适用于高效率、大电流的开关应用场景。 器件在高频开关条件下仍能保持良好的性能稳定性， 适合用于电源转换模块、电池管理系统以及各类需要高效能功率控制的电子设备中。
BSZ050N03MSGATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
BSZ050N03MSGATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。