BSZ0506NSATMA1-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
BSZ0506NSATMA1-HXY
该N沟道MOSFET具备70A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至3.5毫欧。 其低RDS(ON)特性有助于减少导通损耗， 在高电流工作条件下仍能维持较高效率。 器件适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理场景， 可有效支持各类高效能电子系统的稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
75
货期
现货
BSZ0506NSATMA1-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 75 |
BSZ0506NSATMA1-HXY概述
该N沟道MOSFET具备70A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至3.5毫欧。 其低RDS(ON)特性有助于减少导通损耗， 在高电流工作条件下仍能维持较高效率。 器件适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理场景， 可有效支持各类高效能电子系统的稳定运行。
BSZ0506NSATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
BSZ0506NSATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。