BSZ0500NSI
IC
TSDSON-8FL
可供量大可议
BSZ0500NSI
特性：针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
TSDSON-8FL
库存
90
货期
现货
BSZ0500NSI参数
| 封装 | TSDSON-8FL |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
BSZ0500NSI概述
特性：针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
BSZ0500NSI特性
暂无产品特性。
BSZ0500NSI应用领域
暂无应用领域。