BSZ040N04LS G-VB
IC
DFN-8(3x3)
可供量大可议
BSZ040N04LS G-VB
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(3X3)； N—Channel沟道； 40V； 40A； RDS(ON)=4.5(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=2.5V； 采用Trench技术
品牌
VBsemi
封装
DFN-8(3x3)
库存
4
货期
现货
BSZ040N04LS G-VB参数
| 封装 | DFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
BSZ040N04LS G-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(3X3)； N—Channel沟道； 40V； 40A； RDS(ON)=4.5(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=2.5V； 采用Trench技术
BSZ040N04LS G-VB特性
暂无产品特性。
BSZ040N04LS G-VB应用领域
暂无应用领域。