BSZ033NE2LS5-VB
IC
DFN3x3-8
可供量大可议
BSZ033NE2LS5-VB
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(3X3)； N—Channel沟道； 20V； 100A； RDS(ON)=2(mΩ)@VGS=10V； VGS=±12V； Vth=0.6V； 采用Trench技术
品牌
VBsemi
封装
DFN3x3-8
库存
20
货期
现货
BSZ033NE2LS5-VB参数
| 封装 | DFN3x3-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
BSZ033NE2LS5-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(3X3)； N—Channel沟道； 20V； 100A； RDS(ON)=2(mΩ)@VGS=10V； VGS=±12V； Vth=0.6V； 采用Trench技术
BSZ033NE2LS5-VB特性
暂无产品特性。
BSZ033NE2LS5-VB应用领域
暂无应用领域。