BSZ018NE2LSI
IC
TSDSON-8(3.3x3.3)
可供量大可议
BSZ018NE2LSI
优化用于高性能降压转换器的N沟道功率MOSFET， 集成肖特基二极管， 低导通电阻， 100%雪崩测试， 符合JEDEC标准， 无铅、无卤且符合RoHS标准
品牌
Infineon
封装
TSDSON-8(3.3x3.3)
库存
20
货期
现货
BSZ018NE2LSI参数
| 封装 | TSDSON-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
BSZ018NE2LSI概述
优化用于高性能降压转换器的N沟道功率MOSFET， 集成肖特基二极管， 低导通电阻， 100%雪崩测试， 符合JEDEC标准， 无铅、无卤且符合RoHS标准
BSZ018NE2LSI特性
暂无产品特性。
BSZ018NE2LSI应用领域
暂无应用领域。