BSZ013NE2LS5I
IC
TSDSON-8(3.3x3.3)
可供量大可议
BSZ013NE2LS5I
特性：针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 极低导通电阻 RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N沟道。 根据JEDEC针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
TSDSON-8(3.3x3.3)
库存
2
货期
现货
BSZ013NE2LS5I参数
| 封装 | TSDSON-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
BSZ013NE2LS5I概述
特性：针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 极低导通电阻 RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N沟道。 根据JEDEC针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
BSZ013NE2LS5I特性
暂无产品特性。
BSZ013NE2LS5I应用领域
暂无应用领域。