BSZ011NE2LS5I
IC
TSDSON-8(3.3x3.3)
可供量大可议
BSZ011NE2LS5I
特性：针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类似肖特基二极管。 极低导通电阻RDS(on)， 在VGS = 4.5V时。 100%雪崩测试。 N沟道。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准， 无卤素
品牌
Infineon
封装
TSDSON-8(3.3x3.3)
库存
35
货期
现货
BSZ011NE2LS5I参数
| 封装 | TSDSON-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 35 |
BSZ011NE2LS5I概述
特性：针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类似肖特基二极管。 极低导通电阻RDS(on)， 在VGS = 4.5V时。 100%雪崩测试。 N沟道。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准， 无卤素
BSZ011NE2LS5I特性
暂无产品特性。
BSZ011NE2LS5I应用领域
暂无应用领域。