BSZ010NE2LS5ATMA1
IC
TSDSON-8FL
可供量大可议
BSZ010NE2LS5ATMA1
特性：针对高性能降压转换器进行优化。 在VDS为4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 经过100%雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
TSDSON-8FL
库存
79
货期
现货
BSZ010NE2LS5ATMA1参数
| 封装 | TSDSON-8FL |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 79 |
BSZ010NE2LS5ATMA1概述
特性：针对高性能降压转换器进行优化。 在VDS为4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 经过100%雪崩测试。 出色的热阻性能。 N沟道。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
BSZ010NE2LS5ATMA1特性
暂无产品特性。
BSZ010NE2LS5ATMA1应用领域
暂无应用领域。