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BSS84LT1G
IC

SOT-23

可供量大可议

BSS84LT1G

场效应管(MOSFET) 225mW 50V 130mA 1个P沟道

品牌

ON

封装

SOT-23

库存

39,427

货期

现货

BSS84LT1G参数

封装SOT-23
品牌ON(安森美)
批次两年内
数量1个P沟道
导通电阻(RDS(on))10Ω@5V
阈值电压(Vgs(th))2V
输入电容(Ciss)36pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)17pF
分类场效应管(MOSFET)
库存39,427
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)50V
耗散功率(Pd)225mW
栅极电荷量(Qg)2.2nC@10V
反向传输电容(Crss)6.5pF
类型P沟道

BSS84LT1G概述

场效应管(MOSFET) 225mW 50V 130mA 1个P沟道

BSS84LT1G特性

暂无产品特性。

BSS84LT1G应用领域

暂无应用领域。

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