BSS84
自营可供
IC
SOT-23(SOT-23-3)
BSS84
场效应管(MOSFET) 360mW 50V 130mA 1个P沟道
品牌
CJ
封装
SOT-23(SOT-23-3)
交期
现货
批次
26+
BSS84参数
| 封装 | SOT-23(SOT-23-3) |
|---|---|
| 品牌 | CJ(江苏长电/长晶) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3Ω@10V； 3.5Ω@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 输入电容(Ciss) | 43pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 2.9pF |
| 商品型号 | BSS84 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 584,201 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 680mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.77nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 2.8pF |
| 类型 | P沟道 |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:60V 电流:170mA |
| 封装 | SOT-23 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3.1767e-05 |
BSS84概述
场效应管(MOSFET) 360mW 50V 130mA 1个P沟道
BSS84特性
- 漏源击穿电压(VDSS) = -60 V
- 漏极电流(ID) = -0.17 A
- 栅源电压(VGS)为 -10 V 时, 导通电阻(RDS(on))< 8 Ω
- 栅源电压(VGS)为 -4.5 V 时, 导通电阻(RDS(on))< 10 Ω
- 沟槽型低压功率 MOSFET 技术
- 低导通电阻(RDS(ON))
- 低栅极电荷
BSS84应用领域
- 视频监视器-负载开关-电源管理