BSS806NEH6327
自营可供
IC
SOT-23
BSS806NEH6327
场效应管(MOSFET) 500mW 20V 2.3A 1个N沟道 SOT-23
品牌
Infineon
封装
SOT-23
交期
现货
批次
26+
BSS806NEH6327参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 57mΩ@2.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV |
| 输入电容(Ciss) | 529pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 118pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 24,888 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC@2.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
| 商品型号 | BSS806NEH6327 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 6e-05 |
BSS806NEH6327概述
场效应管(MOSFET) 500mW 20V 2.3A 1个N沟道 SOT-23
BSS806NEH6327特性
- N沟道
- 增强型
- 超逻辑电平(额定1.8V)
- 静电放电保护
- 雪崩额定
- 符合AEC Q101标准
- 100%无铅
- 符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤