BSS806NEH6327
IC
SOT-23
可供量大可议
BSS806NEH6327
场效应管(MOSFET) 500mW 20V 2.3A 1个N沟道 SOT-23
品牌
Infineon
封装
SOT-23
库存
24,000
货期
现货
BSS806NEH6327参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 57mΩ@2.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV |
| 输入电容(Ciss) | 529pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 24,000 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC@2.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF |
BSS806NEH6327概述
场效应管(MOSFET) 500mW 20V 2.3A 1个N沟道 SOT-23
BSS806NEH6327特性
暂无产品特性。
BSS806NEH6327应用领域
暂无应用领域。