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BSS7728N H6327
自营可供
IC

SOT-23-3

BSS7728N H6327

场效应管(MOSFET) BSS7728N H6327

品牌

Infineon

封装

SOT-23-3

交期

现货

批次

24+

BSS7728N H6327参数

封装SOT-23-3
品牌Infineon(英飞凌)
批次24+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))2.7Ω@10V
阈值电压(Vgs(th))1.3V
输入电容(Ciss)56pF
工作温度-55℃~+150℃
分类场效应管(MOSFET)
库存14,473
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)360mW
栅极电荷量(Qg)1.5nC@10V
反向传输电容(Crss)4.4pF

BSS7728N H6327概述

场效应管(MOSFET) BSS7728N H6327

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