BSS7728N H6327
IC
SOT-23-3
可供量大可议
BSS7728N H6327
场效应管(MOSFET) BSS7728N H6327
品牌
Infineon
封装
SOT-23-3
库存
14,963
货期
现货
BSS7728N H6327参数
| 封装 | SOT-23-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 24+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 输入电容(Ciss) | 56pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 14,963 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 360mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.5nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 4.4pF |
BSS7728N H6327概述
场效应管(MOSFET) BSS7728N H6327
BSS7728N H6327特性
暂无产品特性。
BSS7728N H6327应用领域
暂无应用领域。