BSS670S2LH6327
IC
SOT-23
可供量大可议
BSS670S2LH6327
特性：N沟道。 增强模式。 逻辑电平。 雪崩额定。 无铅镀铅， 符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌
Infineon
封装
SOT-23
库存
545
货期
现货
BSS670S2LH6327参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 545 |
BSS670S2LH6327概述
特性：N沟道。 增强模式。 逻辑电平。 雪崩额定。 无铅镀铅， 符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
BSS670S2LH6327特性
暂无产品特性。
BSS670S2LH6327应用领域
暂无应用领域。