BSS606N-P
IC
SOT-89-3
可供量大可议
BSS606N-P
特性：VDS = 60V, ID = 3.5A。 RDS(ON) < 100mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 120mΩ @ VGS = 4.5V。 高功率和电流处理能力。 无铅产品。 表面贴装封装。 应用：负载/电源开关。 接口开关
品牌
TECH PUBLIC
封装
SOT-89-3
库存
1,550
货期
现货
BSS606N-P参数
| 封装 | SOT-89-3 |
|---|---|
| 品牌 | TECH PUBLIC(台舟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1550 |
BSS606N-P概述
特性：VDS = 60V, ID = 3.5A。 RDS(ON) < 100mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 120mΩ @ VGS = 4.5V。 高功率和电流处理能力。 无铅产品。 表面贴装封装。 应用：负载/电源开关。 接口开关
BSS606N-P特性
暂无产品特性。
BSS606N-P应用领域
暂无应用领域。