BSS316N-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
BSS316N-HXY
这款场效应管为N型， 电流为4A， 能满足一定低功率需求。 电压30V， 可在特定电路环境下稳定运行。 内阻典型值29mR， 能量损耗适中。 VGS为20V。 在消费电子领域， 适用于小型电子设备的特定电路部分。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
50
货期
现货
BSS316N-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
BSS316N-HXY概述
这款场效应管为N型， 电流为4A， 能满足一定低功率需求。 电压30V， 可在特定电路环境下稳定运行。 内阻典型值29mR， 能量损耗适中。 VGS为20V。 在消费电子领域， 适用于小型电子设备的特定电路部分。
BSS316N-HXY特性
暂无产品特性。
BSS316N-HXY应用领域
暂无应用领域。